选择性蚀刻的自对准通孔工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811534548.9

申请日：

2018-12-14

公开(公告)号：

CN110021555A

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

林永臣周清军张郢何扬·大卫·黄乌代·米特拉瑞加娜·弗雷德

申请人：

申请人地址：

美国特拉华州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	公开	公开
2019-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20181214

共 50 条

[1]

选择性蚀刻的自对准过孔工艺 [P].

林永振 ;

周凯文 ;

张郢 ;

黄和涌 .

中国专利 :CN111095525A ,2020-05-01

[2]

选择性蚀刻的自对准过孔工艺 [P].

林永振 ;

周凯文 ;

张郢 ;

黄和涌 .

美国专利 :CN111095525B ,2024-07-26

[3]

多色自对准触点选择性蚀刻 [P].

林永振 ;

周清军 ;

张郢 ;

黄和湧 .

中国专利 :CN110265297A ,2019-09-20

[4]

自对准局部互连工艺中对于栅极的选择性局部互连 [P].

理查德·T·舒尔茨 .

中国专利 :CN102460671A ,2012-05-16

[5]

选择性蚀刻方法 [P].

G·瓦格纳 .

中国专利 :CN101015043A ,2007-08-08

[6]

高度选择性硅蚀刻 [P].

D·金 ;

H·J·金 ;

B·孔 ;

S·金 .

美国专利 :CN118696400A ,2024-09-24

[7]

金属选择性蚀刻液 [P].

高桥秀树 ;

黑岩健次 ;

加藤胜 .

中国专利 :CN1847457B ,2006-10-18

[8]

选择性蚀刻方法和组件 [P].

韩镕圭 ;

M·图米恩 ;

邓少任 ;

V·万达伦 ;

K·威蒂尤拉 ;

N·V·斯里纳斯 .

:CN118231246A ,2024-06-21

[9]

具有自对准焊料凸块的衬底通孔 [P].

D·亚伯拉罕 ;

J·M·科特 .

中国专利 :CN110574158A ,2019-12-13

[10]

用于环绕栅极架构的选择性蚀刻 [P].

S·H·宋 ;

R·B·小蒂尔科特 ;

A·默西 ;

S·金 ;

K·库恩 .

中国专利 :CN105993064A ,2016-10-05

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