选择性蚀刻的自对准过孔工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880059509.X

申请日：

2018-09-18

公开(公告)号：

CN111095525A

公开(公告)日：

2020-05-01

发明(设计)人：

林永振周凯文张郢黄和涌

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180918
2020-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

选择性蚀刻的自对准过孔工艺 [P].

林永振 ;

周凯文 ;

张郢 ;

黄和涌 .

美国专利 :CN111095525B ,2024-07-26

[2]

选择性蚀刻的自对准通孔工艺 [P].

林永臣 ;

周清军 ;

张郢 ;

何扬·大卫·黄 ;

乌代·米特拉 ;

瑞加娜·弗雷德 .

中国专利 :CN110021555A ,2019-07-16

[3]

多色自对准触点选择性蚀刻 [P].

林永振 ;

周清军 ;

张郢 ;

黄和湧 .

中国专利 :CN110265297A ,2019-09-20

[4]

利用选择性双层电介质再生的全自对准过孔 [P].

坎达巴拉·塔皮利 ;

杰弗里·史密斯 .

中国专利 :CN112368822A ,2021-02-12

[5]

选择性蚀刻方法 [P].

G·瓦格纳 .

中国专利 :CN101015043A ,2007-08-08

[6]

具有选择性的蚀刻停止衬层的自对准栅极系紧接触 [P].

S·C·范 ;

L·W·利布曼 ;

谢瑞龙 .

中国专利 :CN106449524A ,2017-02-22

[7]

高度选择性硅蚀刻 [P].

D·金 ;

H·J·金 ;

B·孔 ;

S·金 .

美国专利 :CN118696400A ,2024-09-24

[8]

金属选择性蚀刻液 [P].

高桥秀树 ;

黑岩健次 ;

加藤胜 .

中国专利 :CN1847457B ,2006-10-18

[9]

自对准局部互连工艺中对于栅极的选择性局部互连 [P].

理查德·T·舒尔茨 .

中国专利 :CN102460671A ,2012-05-16

[10]

使用材料改性及RF脉冲的选择性蚀刻 [P].

巴尔加夫·西特拉 ;

殷正操 ;

斯里尼瓦斯·内曼尼 ;

维亚斯拉夫·巴比扬 ;

迈克尔·斯托厄尔 .

中国专利 :CN109417028A ,2019-03-01

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