半导体元器件和制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03823395.9

申请日：

2003-09-05

公开(公告)号：

CN100440550C

公开(公告)日：

2005-10-19

发明(设计)人：

D·埃泽尔特 S·伊勒克 W·施米德

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

苏娟;赵辛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-10-19	公开	公开
2005-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元器件 [P].

D·埃泽尔特 ;

S·伊勒克 ;

W·施米德 .

中国专利 :CN101373808B ,2009-02-25

[2]

半导体元器件、半导体晶片元器件、半导体元器件的制造方法、及接合结构体的制造方法 [P].

北浦秀敏 ;

古泽彰男 ;

酒谷茂昭 ;

中村太一 ;

松尾隆广 .

中国专利 :CN102422403A ,2012-04-18

[3]

半导体元器件的制造方法及半导体元器件 [P].

于绍欣 ;

金兴成 ;

陈晓亮 .

中国专利 :CN110957218A ,2020-04-03

[4]

半导体元器件及制造方法 [P].

闻叶廷 ;

H·希卫斯 .

中国专利 :CN101383342A ,2009-03-11

[5]

薄膜半导体元器件和其制造方法 [P].

P·施陶斯 ;

A·普勒斯尔 .

中国专利 :CN1745458A ,2006-03-08

[6]

N沟道半导体元器件的制造方法及N沟道半导体元器件 [P].

金兴成 ;

陈晓亮 ;

陈天 .

中国专利 :CN110911282A ,2020-03-24

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

西村勇 .

日本专利 :CN117616566A ,2024-02-27

[8]

半导体元器件 [P].

曾繁川 ;

苏健泉 ;

戴威亮 .

中国专利 :CN207602548U ,2018-07-10

[9]

半导体元器件及其制造方法、电子装置 [P].

金德容 ;

吴容哲 .

中国专利 :CN113380713B ,2021-09-10

[10]

用于制造一个半导体元器件的方法 [P].

S·凯泽 ;

V·海勒 ;

B·哈恩 .

中国专利 :CN1745483A ,2006-03-08

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