半导体元器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810211050.9

申请日：

2008-08-20

公开(公告)号：

CN101383342A

公开(公告)日：

2009-03-11

发明(设计)人：

闻叶廷 H·希卫斯

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L23488 H01L23495 H01L2150 H01L2160

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-11	公开	公开
2011-05-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101093077772 IPC(主分类):H01L 25/00 专利申请号:2008102110509 公开日:20090311

共 50 条

[1]

半导体元器件的制造方法及半导体元器件 [P].

于绍欣 ;

金兴成 ;

陈晓亮 .

中国专利 :CN110957218A ,2020-04-03

[2]

半导体元器件、半导体晶片元器件、半导体元器件的制造方法、及接合结构体的制造方法 [P].

北浦秀敏 ;

古泽彰男 ;

酒谷茂昭 ;

中村太一 ;

松尾隆广 .

中国专利 :CN102422403A ,2012-04-18

[3]

N沟道半导体元器件的制造方法及N沟道半导体元器件 [P].

金兴成 ;

陈晓亮 ;

陈天 .

中国专利 :CN110911282A ,2020-03-24

[4]

半导体元器件和制造方法 [P].

D·埃泽尔特 ;

S·伊勒克 ;

W·施米德 .

中国专利 :CN100440550C ,2005-10-19

[5]

半导体元器件 [P].

曾繁川 ;

苏健泉 ;

戴威亮 .

中国专利 :CN207602548U ,2018-07-10

[6]

半导体元器件 [P].

D·埃泽尔特 ;

S·伊勒克 ;

W·施米德 .

中国专利 :CN101373808B ,2009-02-25

[7]

半导体元器件及其制造方法、电子装置 [P].

金德容 ;

吴容哲 .

中国专利 :CN113380713B ,2021-09-10

[8]

薄膜半导体元器件和其制造方法 [P].

P·施陶斯 ;

A·普勒斯尔 .

中国专利 :CN1745458A ,2006-03-08

[9]

辐射半导体元器件 [P].

R·布滕代希 ;

N·林德 ;

B·迈尔 ;

I·皮聪卡 .

中国专利 :CN1813359A ,2006-08-02

[10]

半导体处理工艺及半导体元器件 [P].

朴相荣 ;

金志勋 ;

金玄永 ;

徐康元 .

中国专利 :CN113223951B ,2021-08-06

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