半导体元器件及其制造方法、电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010166362.3

申请日：

2020-03-11

公开(公告)号：

CN113380713B

公开(公告)日：

2021-09-10

发明(设计)人：

金德容吴容哲

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路172号青岛中德生态园双创中心219室

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

饶婕;龚慧惠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-10	公开	公开
2021-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20200311
2022-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元器件及其制备方法、电子装置 [P].

崔基雄 ;

李河圣 ;

金成基 .

中国专利 :CN111354679A ,2020-06-30

[2]

半导体元器件及其制备方法及电子装置 [P].

卞成洙 ;

金志勲 ;

金玄永 .

中国专利 :CN113223997A ,2021-08-06

[3]

半导体元器件的制造方法及半导体元器件 [P].

于绍欣 ;

金兴成 ;

陈晓亮 .

中国专利 :CN110957218A ,2020-04-03

[4]

垂直双扩散半导体元器件及其制造方法 [P].

冯超 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN110942992B ,2020-03-31

[5]

一种半导体器件及其制造方法、电子装置 [P].

倪梁 ;

汪新学 .

中国专利 :CN105575766B ,2016-05-11

[6]

一种半导体器件及其制造方法、电子装置 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN105826198B ,2016-08-03

[7]

一种半导体器件及其制造方法、电子装置 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106558528A ,2017-04-05

[8]

半导体元器件、半导体晶片元器件、半导体元器件的制造方法、及接合结构体的制造方法 [P].

北浦秀敏 ;

古泽彰男 ;

酒谷茂昭 ;

中村太一 ;

松尾隆广 .

中国专利 :CN102422403A ,2012-04-18

[9]

半导体元器件和制造方法 [P].

D·埃泽尔特 ;

S·伊勒克 ;

W·施米德 .

中国专利 :CN100440550C ,2005-10-19

[10]

半导体元器件及制造方法 [P].

闻叶廷 ;

H·希卫斯 .

中国专利 :CN101383342A ,2009-03-11

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