具有芴结构的树脂及光刻用下层膜形成材料

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201280047440.1
申请日
2012-09-04
公开(公告)号
CN103827163A
公开(公告)日
2014-05-28
发明(设计)人
东原豪 内山直哉 越后雅敏
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C08G6102
IPC分类号
C08L6500 G03F711 H01L21027
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇;李茂家
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
东原豪 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN103733136A ,2014-04-16
[2]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
东原豪 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN106094440A ,2016-11-09
[3]
酚醛系树脂以及光刻用下层膜形成材料 [P]. 
内山直哉 ;
东原豪 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN103619892A ,2014-03-05
[4]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
堀内淳矢 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN113166415A ,2021-07-23
[5]
化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜、图案形成方法、及化合物或树脂的纯化方法 [P]. 
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN106103396A ,2016-11-09
[6]
化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
牧野岛高史 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN104969127B ,2015-10-07
[7]
化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
牧野岛高史 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN104981463B ,2015-10-14
[8]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法 [P]. 
上野雅义 ;
山田弘一 ;
千叶彬史 ;
杉户健 ;
堀内淳矢 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN112400138A ,2021-02-23
[9]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法 [P]. 
堀内淳矢 ;
上野雅义 ;
山田弘一 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN112368644A ,2021-02-12
[10]
化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、图案形成方法及化合物或树脂的纯化方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
堀内淳矢 ;
牧野嶋高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN107406383A ,2017-11-28