含有羟甲基的硅氧烷

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880011836.4

申请日：

2008-02-26

公开(公告)号：

CN101657459B

公开(公告)日：

2010-02-24

发明(设计)人：

T·哈格迈斯特 J·施托雷尔

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

C07F718

IPC分类号：

C08G77388

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101581440952 IPC(主分类):C07F 7/18 专利号:ZL2008800118364 申请日:20080226 授权公告日:20121205 终止日期:20130226
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001106006 IPC(主分类):C07F 7/18 专利申请号:2008800118364 申请日:20080226
2010-02-24	公开	公开
2012-12-05	授权	授权

共 50 条

[1]

制备(羟甲基)聚硅氧烷的方法 [P].

F·赫夫曼 ;

J·施托雷尔 .

中国专利 :CN103906791A ,2014-07-02

[2]

用于生产(羟甲基)聚硅氧烷的方法 [P].

于尔根·奥利弗·戴斯 ;

延斯·克雷默 ;

埃尔克·弗里茨-朗哈尔斯 ;

斯特芬·容格曼 .

中国专利 :CN102575012B ,2012-07-11

[3]

含有聚硅氧烷的泡沫材料 [P].

福尔克尔·施坦耶克 ;

奥利弗·舍费尔 ;

贝恩德·帕哈里 .

中国专利 :CN1285635C ,2005-07-20

[4]

有机聚硅氧烷和含有有机聚硅氧烷的化妆料 [P].

森谷浩幸 ;

小西将幸 ;

安部拓矢 .

日本专利 :CN121219345A ,2025-12-26

[5]

含有机聚硅氧烷的消泡剂制剂 [P].

克里斯托夫·布莱姆 ;

维利巴尔德·布格尔 ;

伊丽莎白·赫尔茨尔维默尔 ;

马丁纳·约阿希姆鲍尔 .

中国专利 :CN104284704A ,2015-01-14

[6]

有机聚硅氧烷及其制造方法、含有机聚硅氧烷的化妆材料 [P].

森谷浩幸 .

中国专利 :CN103319720A ,2013-09-25

[7]

有机聚硅氧烷、其制造方法和含有有机聚硅氧烷的固化性树脂组合物 [P].

冈田祐二 ;

黑田义人 .

中国专利 :CN103459469B ,2013-12-18

[8]

制备羟烷基聚硅氧烷的方法 [P].

奥利弗·舍费尔 ;

托马斯·卡默 ;

贝恩德·帕哈利 .

中国专利 :CN1252141C ,2004-05-05

[9]

含有聚有机硅氧烷的镀金属的层压体 [P].

F·桑德迈尔 .

德国专利 :CN117651641A ,2024-03-05

[10]

有机聚硅氧烷和含有有机聚硅氧烷的化妆料 [P].

森谷浩幸 ;

小西将幸 ;

宫内大 .

日本专利 :CN120418327A ,2025-08-01

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