离子源、操作离子源的方法、以及离子源系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN03136854.9
申请日
2003-05-23
公开(公告)号
CN1461036A
公开(公告)日
2003-12-10
发明(设计)人
木山俊昭
申请人
申请人地址
日本京都府
IPC主分类号
H01J2702
IPC分类号
H01J3708
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
葛青;李晓舒
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
离子源以及操作离子源电磁体的方法 [P]. 
A·V·海斯 ;
R·叶夫图霍夫 ;
V·卡纳罗夫 ;
B·L·德吕 .
中国专利 :CN101681781A ,2010-03-24
[2]
离子源 [P]. 
山下贵敏 .
中国专利 :CN1215520C ,2003-05-28
[3]
离子源 [P]. 
甲斐裕章 ;
西村一平 .
中国专利 :CN207338293U ,2018-05-08
[4]
离子源 [P]. 
杨靖 ;
乐卫平 .
中国专利 :CN309611196S ,2025-11-18
[5]
离子源 [P]. 
井内裕 .
中国专利 :CN107993909A ,2018-05-04
[6]
离子源 [P]. 
安东靖典 ;
松尾大辅 .
日本专利 :CN120548588A ,2025-08-26
[7]
离子源 [P]. 
甲斐裕章 ;
西村一平 .
中国专利 :CN107833818A ,2018-03-23
[8]
离子源 [P]. 
山下贵敏 ;
池尻忠司 ;
井合哲也 .
中国专利 :CN101661862B ,2010-03-03
[9]
离子源 [P]. 
西村一平 .
日本专利 :CN117524819A ,2024-02-06
[10]
离子源 [P]. 
川村昌充 ;
山元彻朗 .
中国专利 :CN111739774A ,2020-10-02