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离子源

被引：0
专利类型：
外观设计
申请号：
CN202530220855.4
申请日：
2025-04-22
公开(公告)号：
CN309611196S
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
杨靖 乐卫平
申请人：
深圳市恒运昌真空技术股份有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市宝安区西乡街道铁岗社区桃花源智创小镇功能配套区B栋101，201，301
IPC主分类号：
10-05
IPC分类号：
代理机构：
深圳市准备知识产权代理事务所(普通合伙) 44983
代理人：
彭绪坤;李汉亮
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-18 授权 授权
共 50 条
[1]
离子源 [P]. 
乐卫平 ;
黄晓东 .
中国专利 :CN309002718S ,2024-12-13
[2]
离子源 [P]. 
乐卫平 ;
黄晓东 .
中国专利 :CN309010907S ,2024-12-17
[3]
离子源 [P]. 
乐卫平 ;
黄晓东 .
中国专利 :CN309010908S ,2024-12-17
[4]
离子源（霍尔） [P]. 
缪同群 ;
谢圣鸣 .
中国专利 :CN307391274S ,2022-06-07
[5]
离子源、操作离子源的方法、以及离子源系统 [P]. 
木山俊昭 .
中国专利 :CN1461036A ,2003-12-10
[6]
离子源 [P]. 
甲斐裕章 ;
西村一平 .
中国专利 :CN207338293U ,2018-05-08
[7]
离子源 [P]. 
井内裕 .
中国专利 :CN107993909A ,2018-05-04
[8]
离子源 [P]. 
安东靖典 ;
松尾大辅 .
日本专利 :CN120548588A ,2025-08-26
[9]
离子源 [P]. 
山下贵敏 .
中国专利 :CN1215520C ,2003-05-28
[10]
离子源 [P]. 
甲斐裕章 ;
西村一平 .
中国专利 :CN107833818A ,2018-03-23
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