非晶纳米晶粉末包覆方法及电感器制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011175524.6

申请日：

2020-10-27

公开(公告)号：

CN112247143A

公开(公告)日：

2021-01-22

发明(设计)人：

周成宗伟王策陈卫红

申请人：

申请人地址：

528000 广东省佛山市南海区里水和桂工业园B区顺景大道15号

IPC主分类号：

B22F102

IPC分类号：

H01F4100 H01F4102

代理机构：

广州科粤专利商标代理有限公司 44001

代理人：

庞伟健;莫瑶江

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 1/02 申请日:20201027
2021-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶纳米晶雾化粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147212A ,2022-03-08

[2]

非晶纳米晶雾化粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147212B ,2024-06-18

[3]

非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147219B ,2024-06-14

[4]

非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147219A ,2022-03-08

[5]

电感器制备方法 [P].

周成 ;

宗伟 ;

王策 ;

陈卫红 .

中国专利 :CN112420371A ,2021-02-26

[6]

预退火处理的非晶纳米晶绝缘成品粉末的制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147220A ,2022-03-08

[7]

预退火处理的非晶纳米晶绝缘成品粉末的制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147220B ,2024-06-18

[8]

非晶纳米晶薄片及其制备方法 [P].

蹇林旎 ;

崔宇岑 ;

赵青宇 ;

王烽亮 .

中国专利 :CN119905340A ,2025-04-29

[9]

一种非晶/纳米晶软磁粉末的绝缘包覆方法 [P].

陈艳 ;

吴兆锦 ;

冯国强 ;

魏建平 .

中国专利 :CN114255953A ,2022-03-29

[10]

一种绝缘包覆非晶纳米晶带材的制备方法及装置 [P].

郭海 ;

霍利山 ;

黄嘉翔 ;

鲍绪东 .

中国专利 :CN118213178A ,2024-06-18

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