具有低源极/漏极接触电阻的FinFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410254124.2

申请日：

2014-06-09

公开(公告)号：

CN104952924B

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

黄玉莲李东颖

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27088 H01L2908 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-25	授权	授权
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631733657 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102541242 申请日:20140609
2015-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

具有低电阻率的源极结构或漏极结构 [P].

C·邦伯格 ;

A·默西 ;

S·维什瓦纳特 .

中国专利 :CN111755444A ,2020-10-09

[2]

具有凹陷顶面的源极/漏极应力源 [P].

李昆穆 ;

郭紫微 ;

宋学昌 ;

李启弘 ;

李资良 .

中国专利 :CN104425566A ,2015-03-18

[3]

具有接触蚀刻停止层的源极或漏极结构 [P].

C.邦伯格 ;

R.梅汉鲁 ;

A.博万德 ;

B.古哈 ;

A.默西 ;

T.加尼 .

中国专利 :CN110660796A ,2020-01-07

[4]

用于逻辑源极/漏极触点的低电阻钼沉积 [P].

谢耀宗 ;

马修·伯特伦·爱德华·格里菲思 ;

罗郑硕 ;

照健·史蒂文·黎 ;

大卫·约瑟夫·曼迪亚 .

美国专利 :CN118786517A ,2024-10-15

[5]

使用牺牲源极/漏极层的增大的晶体管源极/漏极接触面积 [P].

D·M·克鲁姆 ;

B·古哈 ;

W·许 ;

S·M·塞亚 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN110660739A ,2020-01-07

[6]

围绕外延源极/漏极的背面器件接触部 [P].

M·哈兰 ;

C·华莱士 ;

L·古勒尔 ;

S·叶梅尼乔格鲁 ;

M·科布林斯基 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN115527968A ,2022-12-27

[7]

在栅极与源极/漏极接触之间具有绝缘层的FINFET [P].

臧辉 ;

拉尔特斯·柯洛米克斯 ;

席史·马尼·潘迪 ;

朴灿柔 ;

谢瑞龙 .

中国专利 :CN110993602A ,2020-04-10

[8]

在栅极与源极/漏极接触之间具有绝缘层的FINFET [P].

臧辉 ;

拉尔特斯·柯洛米克斯 ;

席史·马尼·潘迪 ;

朴灿柔 ;

谢瑞龙 .

美国专利 :CN110993602B ,2024-12-03

[9]

具有源极/漏极覆盖层的FinFET [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

吴志强 .

中国专利 :CN106158958A ,2016-11-23

[10]

FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN104576645A ,2015-04-29

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