在栅极与源极/漏极接触之间具有绝缘层的FINFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910839433.9

申请日：

2019-09-03

公开(公告)号：

CN110993602A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

臧辉拉尔特斯·柯洛米克斯席史·马尼·潘迪朴灿柔谢瑞龙

申请人：

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2910 H01L29423 H01L29417 H01L218234

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20190903
2020-04-10	公开	公开
2021-03-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/088 登记生效日:20210303 变更事项:申请人变更前权利人:格芯公司变更后权利人:格芯(美国)集成电路科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州

共 50 条

[1]

在栅极与源极/漏极接触之间具有绝缘层的FINFET [P].

臧辉 ;

拉尔特斯·柯洛米克斯 ;

席史·马尼·潘迪 ;

朴灿柔 ;

谢瑞龙 .

美国专利 :CN110993602B ,2024-12-03

[2]

具有低源极/漏极接触电阻的FinFET [P].

黄玉莲 ;

李东颖 .

中国专利 :CN104952924B ,2015-09-30

[3]

具有接触蚀刻停止层的源极或漏极结构 [P].

C.邦伯格 ;

R.梅汉鲁 ;

A.博万德 ;

B.古哈 ;

A.默西 ;

T.加尼 .

中国专利 :CN110660796A ,2020-01-07

[4]

使用牺牲源极/漏极层的增大的晶体管源极/漏极接触面积 [P].

D·M·克鲁姆 ;

B·古哈 ;

W·许 ;

S·M·塞亚 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN110660739A ,2020-01-07

[5]

具有非对称的源极和漏极接触结构的环绕栅极集成电路结构 [P].

B.古哈 ;

M.J.科布林斯基 ;

T.加尼 .

中国专利 :CN110911403A ,2020-03-24

[6]

具有绝缘的源极/漏极跳线结构的半导体装置 [P].

席德哈斯·瑞斯托吉 ;

沙布哈许·克查尼利 ;

梁在锡 ;

千宽永 .

中国专利 :CN109494252A ,2019-03-19

[7]

围绕外延源极/漏极的背面器件接触部 [P].

M·哈兰 ;

C·华莱士 ;

L·古勒尔 ;

S·叶梅尼乔格鲁 ;

M·科布林斯基 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN115527968A ,2022-12-27

[8]

具有垂直沟槽的源极或漏极结构 [P].

R.基奇 ;

N.米努蒂洛 ;

A.墨菲 ;

A.布德列维奇 ;

P.威尔斯 .

中国专利 :CN111755441A ,2020-10-09

[9]

具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构 [P].

J·德席尔瓦 ;

E·曼内巴赫 ;

S·米尔斯 ;

M·J·科布林斯基 .

美国专利 :CN120730820A ,2025-09-30

[10]

FinFET中的鳍间隔件保护的源极和漏极区 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN104576645A ,2015-04-29

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