制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711035734.3

申请日：

2017-10-30

公开(公告)号：

CN108231563A

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

罗伊辰林立德黄玉莲

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218234 H01L27088

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20180629
2018-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

下沢慎 ;

吉村尚 .

日本专利 :CN118435357A ,2024-08-02

[2]

半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

下沢慎 ;

吉村尚 .

日本专利 :CN118369758A ,2024-07-19

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

金昌男 .

中国专利 :CN1819198A ,2006-08-16

[4]

半导体装置的制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101203957B ,2008-06-18

[5]

半导体装置的制造方法 [P].

三宅裕树 ;

市川周平 ;

长里喜隆 .

日本专利 :CN120565416A ,2025-08-29

[6]

半导体装置和制造该半导体装置的方法 [P].

罗熙稌 ;

黄善珏 ;

金成淳 .

中国专利 :CN114388520A ,2022-04-22

[7]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

[8]

半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN103474354A ,2013-12-25

[9]

半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置 [P].

谷田一真 ;

根本义彦 ;

田中直敬 .

中国专利 :CN1551312A ,2004-12-01

[10]

半导体装置、半导体装置的制造方法 [P].

木须光一郎 ;

阿多保夫 .

中国专利 :CN111095479A ,2020-05-01

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