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一种原子层沉积装置及原子层沉积设备
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202020673133.6
申请日
:
2020-04-27
公开(公告)号
:
CN212335291U
公开(公告)日
:
2021-01-12
发明(设计)人
:
李哲峰
乌磊
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间一号楼511-513
IPC主分类号
:
C23C16455
IPC分类号
:
C23C1654
代理机构
:
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287
代理人
:
魏兰
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-01-12
授权
授权
共 50 条
[1]
原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置
[P].
邵大立
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邵大立
;
齐彪
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齐彪
;
马敬忠
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马敬忠
.
中国专利
:CN115404463A
,2022-11-29
[2]
原子层沉积设备的进气装置及原子层沉积设备
[P].
张璞
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宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
张璞
;
刘亚男
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宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
刘亚男
;
李靖
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机构:
宸微设备科技(苏州)有限公司
宸微设备科技(苏州)有限公司
李靖
.
中国专利
:CN223561687U
,2025-11-18
[3]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
胡汉彦
;
张华敏
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
;
罗丹
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机构:
浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
罗丹
.
中国专利
:CN221608192U
,2024-08-27
[4]
原子层沉积设备
[P].
王良栋
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机构:
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
王良栋
;
陈金良
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陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
陈金良
;
宋维聪
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陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
宋维聪
;
李文涛
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陛通半导体设备(苏州)有限公司
陛通半导体设备(苏州)有限公司
李文涛
.
中国专利
:CN222861631U
,2025-05-13
[5]
原子层沉积设备
[P].
曹建伟
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
曹建伟
;
朱凌锋
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
朱凌锋
;
陈培杰
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
陈培杰
;
胡汉彦
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
胡汉彦
;
罗丹
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
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罗丹
;
张华敏
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
张华敏
;
刘海博
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浙江求是创芯半导体设备有限公司
浙江求是创芯半导体设备有限公司
刘海博
.
中国专利
:CN221480068U
,2024-08-06
[6]
原子层沉积设备
[P].
王祥慧
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王祥慧
.
中国专利
:CN204080104U
,2015-01-07
[7]
原子层沉积设备
[P].
请求不公布姓名
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深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
;
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深圳市原速光电科技有限公司
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机构:
深圳市原速光电科技有限公司
深圳市原速光电科技有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN220846263U
,2024-04-26
[8]
原子层沉积设备
[P].
林俊成
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林俊成
;
易锦良
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易锦良
;
许雲齐
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许雲齐
.
中国专利
:CN214400707U
,2021-10-15
[9]
原子层沉积设备
[P].
潘丽君
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
潘丽君
;
张恩慈
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张恩慈
;
陈庆尧
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拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
陈庆尧
;
白海健
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
白海健
.
中国专利
:CN220364583U
,2024-01-19
[10]
原子层沉积设备
[P].
郑磊
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机构:
株洲三一硅能技术有限公司
株洲三一硅能技术有限公司
郑磊
.
中国专利
:CN222512967U
,2025-02-21
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