半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410372950.7

申请日：

2014-07-31

公开(公告)号：

CN104347717B

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

权炳昊金哲金镐永朴世廷金明哲姜甫京尹普彦崔在光崔时荣郑锡勋成金重郑熙暾崔容准韩智恩

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	授权	授权
2015-02-11	公开	公开
2016-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101673880220 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014103729507 申请日:20140731

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田茂伸 ;

卢铉弼 ;

李忠浩 ;

咸锡宪 .

中国专利 :CN103137621A ,2013-06-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相敦 .

中国专利 :CN101286526B ,2008-10-15

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

疋田智之 .

中国专利 :CN102484134B ,2012-05-30

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

高光永 .

中国专利 :CN101136436A ,2008-03-05

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

丰田善昭 ;

北村明夫 .

中国专利 :CN102947928B ,2015-04-01

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

锅义博 ;

波多野正喜 ;

浅见博 ;

森本明大 .

中国专利 :CN101308845A ,2008-11-19

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑璲钰 .

中国专利 :CN101567339B ,2009-10-28

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

门岛胜 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承焕 .

中国专利 :CN102054766A ,2011-05-11

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

李柄勋 ;

林昌文 .

中国专利 :CN103165610A ,2013-06-19

← 1 2 3 4 5 →