半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710147178.9

申请日：

2007-08-30

公开(公告)号：

CN101136436A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

高光永

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

夏凯;钟强

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101099680143 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2007101471789 公开日:20080305
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田茂伸 ;

卢铉弼 ;

李忠浩 ;

咸锡宪 .

中国专利 :CN103137621A ,2013-06-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相敦 .

中国专利 :CN101286526B ,2008-10-15

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

疋田智之 .

中国专利 :CN102484134B ,2012-05-30

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

丰田善昭 ;

北村明夫 .

中国专利 :CN102947928B ,2015-04-01

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

权炳昊 ;

金哲 ;

金镐永 ;

朴世廷 ;

金明哲 ;

姜甫京 ;

尹普彦 ;

崔在光 ;

崔时荣 ;

郑锡勋 ;

成金重 ;

郑熙暾 ;

崔容准 ;

韩智恩 .

中国专利 :CN104347717B ,2015-02-11

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑璲钰 .

中国专利 :CN101567339B ,2009-10-28

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

门岛胜 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承焕 .

中国专利 :CN102054766A ,2011-05-11

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

李柄勋 ;

林昌文 .

中国专利 :CN103165610A ,2013-06-19

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金志永 ;

金大益 ;

金冈昱 ;

金那罗 ;

朴济民 ;

李圭现 ;

郑铉雨 ;

秦教英 ;

洪亨善 ;

黄有商 .

中国专利 :CN104037125B ,2014-09-10

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