高电阻率半导体层中的富陷阱层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110149108.7

申请日：

2021-02-03

公开(公告)号：

CN113363309A

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

安东尼·K·史塔佩尔夫厚尔·杰恩 J·J·派卡里克史蒂芬·M·宣克约翰·J·艾利斯-蒙纳翰

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2706 H01L218249

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210203
2021-09-07	公开	公开

共 50 条

[1]

高电阻率半导体层中的富陷阱层 [P].

安东尼·K·史塔佩尔 ;

夫厚尔·杰恩 ;

J·J·派卡里克 ;

史蒂芬·M·宣克 ;

约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 .

美国专利 :CN113363309B ,2024-08-16

[2]

半导体基板中的高电阻率的多深度区域 [P].

史蒂芬·M·宣克 ;

安东尼·K·史塔佩尔 ;

西瓦·P·阿度苏米利 ;

I·麦卡勒姆-库克 ;

米歇尔·J·阿布-卡里尔 .

中国专利 :CN112652654A ,2021-04-13

[3]

用于半导体装置的富陷阱层 [P].

C.布林德尔 ;

M.A.斯图伯 ;

S.B.莫林 .

中国专利 :CN103348473A ,2013-10-09

[4]

制造高电阻率半导体衬底的工艺 [P].

C·马拉坎 ;

L·埃卡尔诺 ;

D·帕里西 .

中国专利 :CN107437526A ,2017-12-05

[5]

制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构 [P].

I·拉杜 ;

E·德博内 .

中国专利 :CN107068571B ,2017-08-18

[6]

使用离子注入的高电阻率氮化物缓冲层的半导体材料生长 [P].

K·黄 ;

B·D·舒尔茨 ;

A·克尔 .

中国专利 :CN109564855A ,2019-04-02

[7]

外延层电阻率的检测方法以及半导体结构 [P].

周津 .

中国专利 :CN120690700A ,2025-09-23

[8]

利用富陷阱层增强的隔离沟槽 [P].

M·莱维 ;

西瓦·P·阿度苏米利 ;

史蒂芬·M·宣克 ;

亚文·J·乔瑟夫 ;

安东尼·K·史塔佩尔 .

美国专利 :CN114520185B ,2025-12-16

[9]

利用富陷阱层增强的隔离沟槽 [P].

M·莱维 ;

西瓦·P·阿度苏米利 ;

史蒂芬·M·宣克 ;

亚文·J·乔瑟夫 ;

安东尼·K·史塔佩尔 .

中国专利 :CN114520185A ,2022-05-20

[10]

具有富陷阱区和低电阻率区的集成结构 [P].

V·杰恩 ;

C·R·肯尼 ;

J·J·派卡里克 .

美国专利 :CN118039640A ,2024-05-14

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