制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710022513.6

申请日：

2017-01-12

公开(公告)号：

CN107068571B

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

I·拉杜 E·德博内

申请人：

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

H01L2148

IPC分类号：

H01L2314 H01L2348

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-18	公开	公开
2018-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20170112
2021-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法 [P].

S·P·阿杜苏米尔 ;

J·J·埃利斯·莫纳汉 ;

S·M·尚克 ;

Y·T·恩古 ;

M·J·齐拉克 .

中国专利 :CN114613851A ,2022-06-10

[2]

外延层电阻率的检测方法以及半导体结构 [P].

周津 .

中国专利 :CN120690700A ,2025-09-23

[3]

低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构 [P].

姚广峰 ;

付文锋 .

中国专利 :CN223612844U ,2025-11-28

[4]

制造高电阻率半导体衬底的工艺 [P].

C·马拉坎 ;

L·埃卡尔诺 ;

D·帕里西 .

中国专利 :CN107437526A ,2017-12-05

[5]

半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 [P].

宋富冉 ;

周儒领 .

中国专利 :CN117476549A ,2024-01-30

[6]

半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 [P].

宋富冉 ;

周儒领 .

中国专利 :CN117476549B ,2024-04-09

[7]

半导体结构的制造方法以及相关半导体结构 [P].

比什-因·阮 ;

玛丽亚姆·萨达卡 ;

C·马勒维尔 .

中国专利 :CN105448665A ,2016-03-30

[8]

半导体层结构及制造半导体层结构的方法 [P].

布里安·墨非 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 .

中国专利 :CN1892984A ,2007-01-10

[9]

高电阻率半导体层中的富陷阱层 [P].

安东尼·K·史塔佩尔 ;

夫厚尔·杰恩 ;

J·J·派卡里克 ;

史蒂芬·M·宣克 ;

约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 .

中国专利 :CN113363309A ,2021-09-07

[10]

高电阻率半导体层中的富陷阱层 [P].

安东尼·K·史塔佩尔 ;

夫厚尔·杰恩 ;

J·J·派卡里克 ;

史蒂芬·M·宣克 ;

约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 .

美国专利 :CN113363309B ,2024-08-16

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