用于半导体装置的富陷阱层

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180061407.X
申请日
2011-12-07
公开(公告)号
CN103348473A
公开(公告)日
2013-10-09
发明(设计)人
C.布林德尔 M.A.斯图伯 S.B.莫林
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L2712
IPC分类号
H01L2120
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
焦玉恒
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
高电阻率半导体层中的富陷阱层 [P]. 
安东尼·K·史塔佩尔 ;
夫厚尔·杰恩 ;
J·J·派卡里克 ;
史蒂芬·M·宣克 ;
约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 .
美国专利 :CN113363309B ,2024-08-16
[2]
高电阻率半导体层中的富陷阱层 [P]. 
安东尼·K·史塔佩尔 ;
夫厚尔·杰恩 ;
J·J·派卡里克 ;
史蒂芬·M·宣克 ;
约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 .
中国专利 :CN113363309A ,2021-09-07
[3]
半导体装置的制造方法、半导体装置、及叠层半导体装置 [P]. 
深泽元彦 .
中国专利 :CN100413051C ,2006-08-02
[4]
带粘接剂层的半导体晶片、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
森修一 .
中国专利 :CN103250235A ,2013-08-14
[5]
半导体装置、半导体装置的制造方法以及带有粘接剂层的半导体晶片 [P]. 
满仓一行 ;
川守崇司 ;
增子崇 ;
加藤木茂树 ;
藤井真二郎 .
中国专利 :CN102687257A ,2012-09-19
[6]
用于分割半导体装置的方法和半导体装置 [P]. 
M·法齐内利 ;
J·G·拉文 ;
H-J·舒尔策 .
中国专利 :CN107871661B ,2021-10-12
[7]
用于半导体装置的间隔体层和半导体装置 [P]. 
J.严 ;
王伟利 ;
王丽 ;
P.赖 ;
X.鲁 ;
J.古 ;
鲁鹏 .
中国专利 :CN104752491A ,2015-07-01
[8]
半导体装置、层合半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P]. 
D·阿勒斯 ;
F·达奇 ;
D·施莱瑟 ;
T·施特克 .
中国专利 :CN111627883A ,2020-09-04
[9]
半导体装置、层合半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P]. 
D·阿勒斯 ;
F·达奇 ;
D·施莱瑟 ;
T·施特克 .
德国专利 :CN111627883B ,2024-11-26
[10]
半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法 [P]. 
戴维·A·普拉特 .
中国专利 :CN101681886A ,2010-03-24