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半导体装置、层合半导体装置以及用于制造半导体装置的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010127018.3
申请日：
2020-02-28
公开(公告)号：
CN111627883B
公开(公告)日：
2024-11-26
发明(设计)人：
D·阿勒斯
F·达奇
D·施莱瑟
T·施特克
申请人：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址：
德国瑙伊比贝尔格市
IPC主分类号：
H01L23/495
IPC分类号：
H01L21/50
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
邬少俊
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-26 | 授权 | 授权 |