用于半导体装置的间隔体层和半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310743148.X

申请日：

2013-12-30

公开(公告)号：

CN104752491A

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

J.严王伟利王丽 P.赖 X.鲁 J.古鲁鹏

申请人：

申请人地址：

200241 上海市闵行区江川东路388号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L25065

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618651378 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:201310743148X 申请日:20131230
2019-12-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20150701
2015-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置、层合半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P].

D·阿勒斯 ;

F·达奇 ;

D·施莱瑟 ;

T·施特克 .

中国专利 :CN111627883A ,2020-09-04

[2]

半导体装置、层合半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P].

D·阿勒斯 ;

F·达奇 ;

D·施莱瑟 ;

T·施特克 .

德国专利 :CN111627883B ,2024-11-26

[3]

半导体装置和半导体装置的断电方法 [P].

全浩渊 ;

金大焕 ;

李永勋 .

韩国专利 :CN109428572B ,2024-03-22

[4]

半导体装置和半导体装置的断电方法 [P].

全浩渊 ;

金大焕 ;

李永勋 .

中国专利 :CN109428572A ,2019-03-05

[5]

半导体装置、用于半导体装置的衬底和制造半导体装置的方法 [P].

村野仁彦 ;

庄子史人 ;

右田达夫 ;

久米一平 .

中国专利 :CN111627862A ,2020-09-04

[6]

半导体装置和半导体系统 [P].

孙裕硕 ;

金相佑 ;

李炳卓 ;

权润周 ;

赵俊佑 .

中国专利 :CN110018712A ,2019-07-16

[7]

半导体装置和半导体系统 [P].

金晓勤 ;

朴珉秀 .

韩国专利 :CN121029647A ,2025-11-28

[8]

半导体装置的制造方法、半导体装置、及叠层半导体装置 [P].

深泽元彦 .

中国专利 :CN100413051C ,2006-08-02

[9]

半导体装置 [P].

邱进添 ;

S.阿帕德亚裕拉 ;

邰恩勇 ;

黄大成 ;

Y.张 .

中国专利 :CN104752380A ,2015-07-01

[10]

半导体封装件、半导体装置和半导体装置的操作方法 [P].

李卓键 ;

巴拉斯·库马尔·N ;

金圣闰 ;

金周永 ;

朴东旭 ;

成耆焕 ;

李慧文 .

韩国专利 :CN121055936A ,2025-12-02

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