半导体装置和半导体装置的断电方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810910391.9

申请日：

2018-08-10

公开(公告)号：

CN109428572A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

全浩渊金大焕李永勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H03K1704

IPC分类号：

H03K1724 H03K1756

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

赵南;张青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	公开	公开
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/04 申请日:20180810

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的断电方法 [P].

全浩渊 ;

金大焕 ;

李永勋 .

韩国专利 :CN109428572B ,2024-03-22

[2]

半导体封装件、半导体装置和半导体装置的操作方法 [P].

李卓键 ;

巴拉斯·库马尔·N ;

金圣闰 ;

金周永 ;

朴东旭 ;

成耆焕 ;

李慧文 .

韩国专利 :CN121055936A ,2025-12-02

[3]

半导体结构、半导体装置、和制造半导体装置的方法 [P].

萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯 ;

蔡家铭 ;

范彧达 ;

余典卫 .

中国专利 :CN113327925A ,2021-08-31

[4]

半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元 [P].

横山孝司 ;

梅林拓 .

中国专利 :CN104425439A ,2015-03-18

[5]

半导体装置制造方法、半导体装置和半导体芯片 [P].

谷田一真 ;

梅本光雄 ;

秋山雪治 .

中国专利 :CN100563005C ,2005-09-28

[6]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

[7]

半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN103474354A ,2013-12-25

[8]

半导体装置和半导体系统 [P].

孙裕硕 ;

金相佑 ;

李炳卓 ;

权润周 ;

赵俊佑 .

中国专利 :CN110018712A ,2019-07-16

[9]

半导体装置和半导体系统 [P].

金晓勤 ;

朴珉秀 .

韩国专利 :CN121029647A ,2025-11-28

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

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