侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010200851.2
申请日
2010-06-07
公开(公告)号
CN101872823A
公开(公告)日
2010-10-27
发明(设计)人
彭康伟 林素慧 刘传桂 林科闯
申请人
申请人地址
361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
IPC主分类号
H01L3346
IPC分类号
H01L3340
代理机构
厦门原创专利事务所 35101
代理人
徐东峰
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 [P]. 
郑建森 ;
林素慧 ;
何安和 ;
林科闯 .
中国专利 :CN101872824A ,2010-10-27
[2]
具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管 [P]. 
郑建森 ;
刘传桂 ;
林素慧 ;
彭康伟 ;
吴志强 .
中国专利 :CN201773864U ,2011-03-23
[3]
具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法 [P]. 
黄逸儒 ;
黄冠杰 ;
沈志铭 ;
庄东霖 ;
麦宏全 ;
黄靖恩 ;
丁绍滢 .
中国专利 :CN110993765A ,2020-04-10
[4]
具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法 [P]. 
黄逸儒 ;
黄冠杰 ;
沈志铭 ;
庄东霖 ;
麦宏全 ;
黄靖恩 ;
丁绍滢 .
中国专利 :CN105895776B ,2016-08-24
[5]
一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P]. 
闫发旺 ;
白俊春 ;
汪英杰 .
中国专利 :CN103824915A ,2014-05-28
[6]
氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P]. 
张东炎 ;
刘文 ;
叶大千 ;
刘晓峰 ;
高文浩 ;
王笃祥 .
中国专利 :CN105826440B ,2016-08-03
[7]
氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P]. 
蓝永凌 ;
张家宏 ;
卓昌正 ;
林兓兓 ;
谢翔麟 ;
谢祥彬 ;
徐志波 .
中国专利 :CN103996766A ,2014-08-20
[8]
基于调谐分布布拉格反射镜的发光二极管 [P]. 
冯玉春 ;
施炜 ;
郭宝平 ;
彭冬生 ;
牛憨笨 .
中国专利 :CN101038948A ,2007-09-19
[9]
氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法 [P]. 
张保平 ;
尚景智 .
中国专利 :CN101478115A ,2009-07-08
[10]
氮化镓基发光二极管 [P]. 
邓小强 ;
张建宝 .
中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25