具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020520589.5

申请日：

2010-09-08

公开(公告)号：

CN201773864U

公开(公告)日：

2011-03-23

发明(设计)人：

郑建森刘传桂林素慧彭康伟吴志强

申请人：

申请人地址：

361009 福建省厦门市吕岭路1721号

IPC主分类号：

H01L3346

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/46 申请日:20100908 授权公告日:20110323
2011-03-23	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基发光二极管 [P].

邓小强 ;

张建宝 .

中国专利 :CN203367342U ,2013-12-25

[2]

侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

彭康伟 ;

林素慧 ;

刘传桂 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101872823A ,2010-10-27

[3]

氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

吴志强 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29

[4]

氮化镓基发光二极管 [P].

虞浩辉 ;

周宇杭 .

中国专利 :CN102856457B ,2013-01-02

[5]

氮化镓基发光二极管 [P].

陈秉扬 ;

张中英 ;

赖昭序 ;

曾建尧 ;

张洁 ;

朱学亮 ;

刘信佑 ;

卢德恩 ;

刘建明 .

中国专利 :CN106784206A ,2017-05-31

[6]

具有改良式背镀全方位反射镜的氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

谢颖 ;

王强 ;

何玉华 .

中国专利 :CN207705226U ,2018-08-07

[7]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

董发 ;

李志翔 ;

吴东海 ;

詹润滋 .

中国专利 :CN203746891U ,2014-07-30

[8]

氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管 [P].

王强 ;

王磊 ;

李国琪 ;

涂招莲 ;

巩春梅 .

中国专利 :CN104425662A ,2015-03-18

[9]

一种氮化镓基发光二极管 [P].

周弘毅 ;

张永 ;

陈凯轩 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

陈亮 ;

魏振东 ;

李小平 ;

吴奇隆 ;

蔡立鹤 ;

邬新根 ;

黄新茂 .

中国专利 :CN205645877U ,2016-10-12

[10]

氮化镓基外延片及氮化镓基发光二极管 [P].

曾家明 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN218039254U ,2022-12-13

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