一种Ho3+/Pr3+共掺杂氟化钇锂单晶体及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210504257.1

申请日：

2012-11-28

公开(公告)号：

CN103014854A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

夏海平彭江涛汪沛渊张约品

申请人：

申请人地址：

315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226

代理人：

程晓明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101500122747 IPC(主分类):C30B 29/12 专利申请号:2012105042571 申请日:20121128
2015-08-05	授权	授权
2013-04-03	公开	公开
2018-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/12 申请日:20121128 授权公告日:20150805 终止日期:20171128

共 50 条

[41]

一种钒掺杂层状硒化物及其单晶体的制备方法 [P].

张传林 ;

路璐 ;

米少波 .

中国专利 :CN118653214B ,2024-11-01

[42]

一种制备钙掺杂YBCO高温超导单晶体的方法 [P].

姚忻 ;

钱俊 ;

万炎 ;

黄思敏 ;

尹伊倩 .

中国专利 :CN109023526B ,2018-12-18

[43]

一种蓝光激发Pr3+、Eu3+掺杂可调色纳米荧光粉及其制备方法 [P].

李峻峰 ;

张馨 ;

舒雨玫 ;

张冰高歌 ;

刘国珍 ;

范毅 ;

黄艺 ;

张佩聪 .

中国专利 :CN114574203A ,2022-06-03

[44]

一种稀土金属单晶体及其制备方法 [P].

吴守球 .

中国专利 :CN106222744B ,2016-12-14

[45]

一种制备InSeI单晶体的方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN112064116A ,2020-12-11

[46]

一种InTeI单晶体的制备方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN114645326B ,2024-02-06

[47]

一种InTeI单晶体的制备方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN114645326A ,2022-06-21

[48]

一种掺氟化钇的氟化钡晶体及其制备方法 [P].

张钦辉 ;

徐超 ;

刘建强 ;

刘晓阳 ;

史达威 ;

张国莹 ;

王琦 .

中国专利 :CN107723795B ,2018-02-23

[49]

一种熔融法制备氟化钇锂晶体生长原料装置及方法 [P].

刘文鹏 ;

张庆礼 ;

赵凯旋 ;

王小飞 ;

高进云 ;

窦仁勤 .

中国专利 :CN118600551A ,2024-09-06

[50]

一种Ce3+掺杂的石榴石单晶体、其制备方法、应用及黄光警示器件 [P].

任浩 ;

丁守军 ;

李泓沅 ;

沈科文 ;

邹勇 ;

黄仙山 .

中国专利 :CN114921852A ,2022-08-19

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