一种InTeI单晶体的制备方法

被引：0

申请号：

CN202011509550.8

申请日：

2020-12-18

公开(公告)号：

CN114645326A

公开(公告)日：

2022-06-21

发明(设计)人：

程国峰周玄尹晗迪阮音捷孙玥

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B2300 C30B2804 C30B3302

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	公开	公开
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/12 申请日:20201218

共 50 条

[1]

一种InTeI单晶体的制备方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN114645326B ,2024-02-06

[2]

一种制备InSeI单晶体的方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN112064116A ,2020-12-11

[3]

单晶体的制备方法及硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114438585A ,2022-05-06

[4]

单晶体的制备方法和硅晶体 [P].

王双丽 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114481302A ,2022-05-13

[5]

五镓化镍铀单晶体的制备方法、五镓化镍铀单晶体及应用 [P].

陈秋云 ;

谢东华 ;

冯卫 ;

周锐 .

中国专利 :CN110923800A ,2020-03-27

[6]

一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片 [P].

周成 ;

张存新 ;

何亮 ;

李建敏 ;

毛伟 ;

徐云飞 ;

雷琦 ;

罗鸿志 ;

李小平 ;

刘亮 ;

熊仁根 .

中国专利 :CN115697019A ,2023-02-03

[7]

超高纯砷单晶体片的制备方法 [P].

陈国忠 ;

杨卫东 .

中国专利 :CN102899712A ,2013-01-30

[8]

单晶体切割方法 [P].

奥克塔维安·菲利普 ;

鲍里斯·埃佩尔鲍姆 ;

马蒂亚斯·比克尔曼 ;

阿尔布雷希特·温纳克 ;

保罗·海曼 ;

乌尔里希·赛茨 .

中国专利 :CN104428115A ,2015-03-18

[9]

碲镓银单晶体的制备方法 [P].

王涛 ;

代书俊 ;

赵清华 ;

殷子昂 ;

陈炳奇 ;

李洁 ;

王维 ;

介万奇 .

中国专利 :CN105586640A ,2016-05-18

[10]

CuInS2单晶体的制备方法和CuInS2单晶体制备装置 [P].

赵岳 ;

丁艳丽 ;

冯月 ;

王林军 ;

彭翔 ;

梁小燕 ;

闵嘉华 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103993355A ,2014-08-20

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