填充衬底表面上的凹部的方法、系统及结构

被引：0

申请号：

CN202210110561.1

申请日：

2022-01-29

公开(公告)号：

CN114864478A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

须佐圭雄杉浦博次菊地良幸

申请人：

申请人地址：

荷兰阿尔梅勒

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

C23C1626 C23C1632 C23C1634 C23C1640 C23C1644 H01L21764

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

焦玉恒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

填充衬底表面上的沟槽的方法 [P].

A·雷姆涅夫 ;

川岛孝弘 ;

F·W·阿玛拉贾 ;

T·萨哈 .

:CN119725217A ,2025-03-28

[2]

填充衬底表面上的沟槽的方法 [P].

智广久保田 ;

杉浦博次 ;

菊地良幸 ;

A·米什拉 ;

A·雷姆涅夫 .

:CN119480780A ,2025-02-18

[3]

在衬底表面上使用等离子体填充间隙的方法 [P].

一之濑秀 .

:CN120060816A ,2025-05-30

[4]

在衬底表面上提供多层涂料的方法 [P].

T·伯恩哈德 ;

A·彼得 ;

M·嫚斯崎 ;

F·布鲁宁 ;

T·比尔凯-特洛尼 ;

H·布伦纳 .

中国专利 :CN109790622A ,2019-05-21

[5]

防止衬底表面上烟雾生长的装置和方法 [P].

E·M·弗赖伊 ;

L·E·弗里萨 .

中国专利 :CN101395697A ,2009-03-25

[6]

将可冷凝材料沉积到衬底表面上的方法 [P].

江裕志 ;

福田秀明 .

:CN117364066A ,2024-01-09

[7]

在衬底表面上产生电功能层的方法 [P].

K·韦德纳 ;

R·温克 ;

J·-C·霍尔斯特 ;

J·D·詹森 .

中国专利 :CN101501830B ,2009-08-05

[8]

在衬底表面上形成硅化钼层的方法 [P].

D·厄尔努尔 ;

J·W·梅斯 .

:CN119480616A ,2025-02-18

[9]

用于在衬底表面上形成图案化特征的方法和系统 [P].

李承泫 ;

具盻炫 ;

金显哲 ;

井上尚树 .

中国专利 :CN114203547A ,2022-03-18

[10]

用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备 [P].

刘泽铖 ;

V.波雷 .

中国专利 :CN111593319A ,2020-08-28

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