n型场效应晶体管、其金属栅极及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010226328.7

申请日：

2010-07-08

公开(公告)号：

CN101950756A

公开(公告)日：

2011-01-19

发明(设计)人：

张简旭珂吴斯安陈圣文

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056898999 IPC(主分类):H01L 29/40 专利申请号:2010102263287 申请日:20100708
2012-12-12	授权	授权
2011-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

环绕栅极场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

马克·C·黑基 ;

戴维·V·霍勒克 ;

查尔斯·W·科伯格第三 ;

彼得·H·米切尔 .

中国专利 :CN100568465C ,2005-06-15

[2]

栅极环绕场效应晶体管 [P].

白文琦 ;

李昆鸿 ;

王世铭 ;

黄志森 ;

胡展源 .

中国专利 :CN110491946A ,2019-11-22

[3]

用于场效应晶体管的栅极电极以及场效应晶体管 [P].

林秉顺 ;

李达元 ;

许光源 .

中国专利 :CN102104061A ,2011-06-22

[4]

栅极制造方法、场效应晶体管形成方法及场效应晶体管 [P].

方楷 ;

邓建宁 ;

何亮亮 ;

蒋博翰 ;

陶颖卿 .

中国专利 :CN109950147A ,2019-06-28

[5]

场效应晶体管的金属栅极及方法 [P].

褚涛 ;

路荣涛 ;

M·O·艾谢 ;

马巍 ;

H·王 .

中国专利 :CN111834445A ,2020-10-27

[6]

场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P].

笠井直记 ;

中原宁 ;

木村央 ;

深井利宪 .

中国专利 :CN100474611C ,2006-02-22

[7]

场效应晶体管制造方法及场效应晶体管 [P].

李伟 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN109643655B ,2019-04-16

[8]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[9]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[10]

双栅极场效应晶体管 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101894864B ,2010-11-24

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