场效应晶体管的金属栅极及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010201250.7

申请日：

2020-03-20

公开(公告)号：

CN111834445A

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

褚涛路荣涛 M·O·艾谢马巍 H·王

申请人：

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	公开	公开
2021-03-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/423 登记生效日:20210309 变更事项:申请人变更前权利人:格芯公司变更后权利人:格芯(美国)集成电路科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州
2020-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20200320

共 50 条

[1]

用于场效应晶体管的栅极电极以及场效应晶体管 [P].

林秉顺 ;

李达元 ;

许光源 .

中国专利 :CN102104061A ,2011-06-22

[2]

双栅极场效应晶体管和生产双栅极场效应晶体管的方法 [P].

D·M·德里兀 ;

P·A·范哈尔 ;

G·T·霍夫特 .

中国专利 :CN102203974A ,2011-09-28

[3]

栅极制造方法、场效应晶体管形成方法及场效应晶体管 [P].

方楷 ;

邓建宁 ;

何亮亮 ;

蒋博翰 ;

陶颖卿 .

中国专利 :CN109950147A ,2019-06-28

[4]

双栅极场效应晶体管 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101894864B ,2010-11-24

[5]

屏蔽栅极场效应晶体管 [P].

P·A·布尔克 ;

D·E·普罗布斯特 ;

S·J·霍赛 .

中国专利 :CN208767305U ,2019-04-19

[6]

环绕栅极场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

马克·C·黑基 ;

戴维·V·霍勒克 ;

查尔斯·W·科伯格第三 ;

彼得·H·米切尔 .

中国专利 :CN100568465C ,2005-06-15

[7]

栅极环绕场效应晶体管 [P].

白文琦 ;

李昆鸿 ;

王世铭 ;

黄志森 ;

胡展源 .

中国专利 :CN110491946A ,2019-11-22

[8]

绝缘栅极场效应晶体管 [P].

J·R·卡特 .

中国专利 :CN1989623A ,2007-06-27

[9]

绝缘栅极场效应晶体管 [P].

亚当·布朗 .

中国专利 :CN101288178A ,2008-10-15

[10]

场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN111384160A ,2020-07-07

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