一种提高LED器件光效的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510737090.7

申请日：

2015-11-03

公开(公告)号：

CN105244424B

公开(公告)日：

2016-01-13

发明(设计)人：

徐平苗振林卢国军

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3314 H01L3300

代理机构：

北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442

代理人：

马佑平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-18	授权	授权
2016-01-13	公开	公开
2016-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101645686022 IPC(主分类):H01L 33/04 专利申请号:2015107370907 申请日:20151103

共 50 条

[1]

一种LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 ;

卢国军 .

中国专利 :CN105206722A ,2015-12-30

[2]

提高光效的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

林传强 .

中国专利 :CN106328494A ,2017-01-11

[3]

一种提高LED亮度的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105206723A ,2015-12-30

[4]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

[5]

一种提升LED光效的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 ;

徐平 .

中国专利 :CN105655455A ,2016-06-08

[6]

一种LED外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN111261755B ,2020-06-09

[7]

LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109378377B ,2019-02-22

[8]

提高LED芯片抗静电性能的外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN105932115A ,2016-09-07

[9]

一种LED外延结构及其生长方法 [P].

张宇 .

中国专利 :CN106384764A ,2017-02-08

[10]

一种提高GaN基LED光电性能的外延生长方法 [P].

农明涛 ;

苗振林 ;

卢国军 ;

周佐华 .

中国专利 :CN105296948A ,2016-02-03

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