检测高纯三氯氢硅中痕量杂质的系统和方法

被引：0

申请号：

CN202210202718.3

申请日：

2022-03-03

公开(公告)号：

CN114264717A

公开(公告)日：

2022-04-01

发明(设计)人：

张天雨蒋文武闫家强吴鹏

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

IPC主分类号：

G01N27626

IPC分类号：

G01N114

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/626 申请日:20220303
2022-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于检测三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置 [P].

田润朝 ;

征取 ;

拜黎洁 ;

王彩娟 ;

张海燕 ;

陈英 ;

魏东亮 .

中国专利 :CN208076248U ,2018-11-09

[2]

去除三氯氢硅中杂质的装置和方法 [P].

牛刚 ;

王西玉 ;

朱文刚 ;

罗佳林 ;

陈文吉 ;

刘飞 .

中国专利 :CN118403584A ,2024-07-30

[3]

去除三氯氢硅中杂质的装置和方法 [P].

牛刚 ;

王西玉 ;

朱文刚 ;

罗佳林 ;

陈文吉 ;

刘飞 .

中国专利 :CN118403584B ,2025-10-03

[4]

去除三氯氢硅中硼杂质的方法 [P].

张新 ;

王璜 ;

李强 ;

卢涛 ;

毕有东 .

中国专利 :CN101913610B ,2010-12-15

[5]

去除三氯氢硅中杂质的装置 [P].

牛刚 ;

王西玉 ;

朱文刚 ;

罗佳林 ;

陈文吉 ;

刘飞 .

中国专利 :CN222624499U ,2025-03-18

[6]

一种用于分析三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置 [P].

张福海 ;

蔡延国 ;

王生红 ;

刘元香 ;

征取 ;

季静佳 .

中国专利 :CN204214707U ,2015-03-18

[7]

一种用于高纯二氯氢硅中痕量杂质检测的分析装置 [P].

倪珊珊 ;

陈润泽 ;

李欣 ;

李帅楠 ;

井栋宇 ;

吕舜 ;

解晓虎 ;

吕浩然 .

中国专利 :CN220795140U ,2024-04-16

[8]

高纯三氯氢硅的制备方法及装置 [P].

张燕南 ;

郭树虎 ;

万烨 ;

赵雄 ;

赵宇 ;

王磊 ;

常欣 ;

袁振军 ;

王国元 ;

张兴毅 ;

郭克涛 ;

郭武辉 .

中国专利 :CN116022789B ,2025-01-28

[9]

一种吸附脱除甲基氯硅烷杂质制备高纯三氯氢硅的装置和方法 [P].

王红星 ;

陈锦溢 ;

华超 ;

刘洋 .

中国专利 :CN109205627A ,2019-01-15

[10]

提纯三氯氢硅的系统 [P].

吴锋 ;

李明峰 ;

李福中 ;

韩秀娟 ;

王海豹 .

中国专利 :CN212740754U ,2021-03-19

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