蚀刻半导体基底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510062838.4

申请日：

2005-03-31

公开(公告)号：

CN1691289A

公开(公告)日：

2005-11-02

发明(设计)人：

黄登旺克里斯丁苏克

申请人：

申请人地址：

台湾桃园县

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-11-02	公开	公开
2008-08-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

制造半导体基底的方法和半导体基底 [P].

木岛公一朗 ;

P·库纳斯 .

中国专利 :CN1742367A ,2006-03-01

[2]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

中国专利 :CN112567503A ,2021-03-26

[3]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

英国专利 :CN112567503B ,2025-01-10

[4]

半导体基底的清洗方法 [P].

孙智强 ;

蓝天呈 ;

李华国 ;

陈京好 ;

黄文俊 ;

王润顺 ;

王敬玲 ;

杨大江 ;

王志祥 .

中国专利 :CN100578731C ,2009-02-25

[5]

半导体基底 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN202513135U ,2012-10-31

[6]

制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法 [P].

李中杰 .

中国专利 :CN111106002A ,2020-05-05

[7]

制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法 [P].

李中杰 .

中国专利 :CN111106002B ,2024-02-23

[8]

半导体结构的蚀刻方法 [P].

刘艳杰 ;

杜兵 ;

刘来教 ;

顾海龙 ;

黄清俊 ;

谈文毅 .

中国专利 :CN119517741A ,2025-02-25

[9]

用于半导体蚀刻的系统和方法 [P].

张度 ;

斯克特·莱费夫雷 ;

杰弗里·谢尔 ;

彼得·比奥尔斯 .

日本专利 :CN120858444A ,2025-10-28

[10]

制造及蚀刻半导体装置的方法 [P].

林子敬 ;

蔡雅怡 ;

赖俊良 ;

吴昀铮 ;

古淑瑗 .

中国专利 :CN118899221A ,2024-11-05

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