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用于半导体蚀刻的系统和方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202480017284.7
申请日：
2024-03-08
公开(公告)号：
CN120858444A
公开(公告)日：
2025-10-28
发明(设计)人：
张度
斯克特·莱费夫雷
杰弗里·谢尔
彼得·比奥尔斯
申请人：
东京毅力科创株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01L21/311
IPC分类号：
H01L21/3065
H01L21/027
H01L21/20
H01L21/18
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
王伟楠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-28 | 公开 | 公开 |