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用于半导体蚀刻室的内衬
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN01803460.8
申请日：
2001-01-11
公开(公告)号：
CN1394351A
公开(公告)日：
2003-01-29
发明(设计)人：
J·S·布洛姆
A·T·海曼
M·施巴塔
申请人：
申请人地址：
美国特拉华州威尔明顿
IPC主分类号：
H01J3732
IPC分类号：
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
刘元金;姜建成
法律状态：
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2005-04-06 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 |
| 2003-04-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2003-01-29 | 公开 | 公开 |