共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
用于半导体制造的蚀刻方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380019266.8
申请日：
2023-03-23
公开(公告)号：
CN118613901A
公开(公告)日：
2024-09-06
发明(设计)人：
蔡宇浩
张度
王明美
大类贵俊
高桥基
横井雅彦
田中康基
木原嘉英
申请人：
东京毅力科创株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01L21/311
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
贾红娟
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-09-06 | 公开 | 公开 |
| 2025-01-28 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20230323 |