蚀刻方法及半导体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880066209.4

申请日：

2018-10-22

公开(公告)号：

CN111213224A

公开(公告)日：

2020-05-29

发明(设计)人：

谷本阳祐

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21336 H01L2711556 H01L2711582 H01L29788 H01L29792

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

张轶楠;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	公开	公开
2020-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20181022

共 50 条

[1]

蚀刻方法、半导体设备的制造方法、蚀刻装置及蚀刻气体 [P].

福井由季 ;

大森启之 ;

菊池亚纪应 .

日本专利 :CN119318001A ,2025-01-14

[2]

干蚀刻方法、半导体器件的制造方法及干蚀刻气体组合物 [P].

泽村凉介 ;

铃木圣唯 ;

大森启之 ;

八尾章史 .

中国专利 :CN115315786A ,2022-11-08

[3]

蚀刻方法、蚀刻掩模及利用其制造半导体装置的方法 [P].

堀江秀善 .

中国专利 :CN101484983A ,2009-07-15

[4]

蚀刻方法以及半导体元件的制造方法 [P].

松井一真 .

日本专利 :CN115868011B ,2025-10-03

[5]

蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法 [P].

阿部知央 ;

佐佐木俊行 ;

林久贵 ;

大村光広 ;

今村翼 .

日本专利 :CN112242301B ,2024-03-19

[6]

半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

西胁良典 ;

上村哲也 ;

稲叶正 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN104813451A ,2015-07-29

[7]

蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法 [P].

阿部知央 ;

佐佐木俊行 ;

林久贵 ;

大村光広 ;

今村翼 .

中国专利 :CN112242301A ,2021-01-19

[8]

半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

室祐継 ;

上村哲也 ;

稻叶正 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN104781914A ,2015-07-15

[9]

干蚀刻方法、半导体设备的制造方法和蚀刻装置 [P].

武田雄太 ;

山内邦裕 ;

八尾章史 .

中国专利 :CN113498547A ,2021-10-12

[10]

干蚀刻方法及半导体装置的制造方法 [P].

大森启之 ;

古谷俊太 .

中国专利 :CN113614891A ,2021-11-05

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