蚀刻方法、蚀刻掩模及利用其制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780024949.3

申请日：

2007-04-30

公开(公告)号：

CN101484983A

公开(公告)日：

2009-07-15

发明(设计)人：

堀江秀善

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21308 H01L3300 C23C1406

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

丁香兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-15	公开	公开
2011-06-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101096277578 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2007800249493 公开日:20090715

共 50 条

[1]

蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及蚀刻装置 [P].

尾崎史朗 ;

武田正行 .

中国专利 :CN102683198B ,2012-09-19

[2]

半导体装置及蚀刻方法 [P].

平田瑛子 ;

深沢正永 .

日本专利 :CN114981933B ,2025-06-10

[3]

蚀刻方法、半导体设备的制造方法、蚀刻装置及蚀刻气体 [P].

福井由季 ;

大森启之 ;

菊池亚纪应 .

日本专利 :CN119318001A ,2025-01-14

[4]

蚀刻方法及半导体的制造方法 [P].

谷本阳祐 .

中国专利 :CN111213224A ,2020-05-29

[5]

蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法 [P].

阿部知央 ;

佐佐木俊行 ;

林久贵 ;

大村光広 ;

今村翼 .

日本专利 :CN112242301B ,2024-03-19

[6]

蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法 [P].

阿部知央 ;

佐佐木俊行 ;

林久贵 ;

大村光広 ;

今村翼 .

中国专利 :CN112242301A ,2021-01-19

[7]

蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳灏成 ;

李浚银 ;

张平和 ;

金容逸 ;

朴镇 .

中国专利 :CN109216187A ,2019-01-15

[8]

蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

上村哲也 ;

朴起永 ;

室祐継 ;

稲叶正 .

中国专利 :CN104737277B ,2015-06-24

[9]

湿蚀刻方法及半导体装置的制造方法 [P].

新崎庸平 ;

冈岛弘明 ;

荻野和基 .

中国专利 :CN108352315A ,2018-07-31

[10]

药液、蚀刻方法及半导体装置的制造方法 [P].

北川白马 ;

小出辰彦 ;

藤田博 .

中国专利 :CN115109591A ,2022-09-27

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