药液、蚀刻方法及半导体装置的制造方法

被引：0

申请号：

CN202110836976.2

申请日：

2021-07-23

公开(公告)号：

CN115109591A

公开(公告)日：

2022-09-27

发明(设计)人：

北川白马小出辰彦藤田博

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

H01L213213 H01L2711548 H01L2711556 H01L2711575 H01L2711582

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

王磊;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法 [P].

阿部知央 ;

佐佐木俊行 ;

林久贵 ;

大村光広 ;

今村翼 .

日本专利 :CN112242301B ,2024-03-19

[2]

蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法 [P].

阿部知央 ;

佐佐木俊行 ;

林久贵 ;

大村光広 ;

今村翼 .

中国专利 :CN112242301A ,2021-01-19

[3]

蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及半导体装置 [P].

西田知矢 .

中国专利 :CN100411113C ,2005-06-08

[4]

蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及蚀刻装置 [P].

尾崎史朗 ;

武田正行 .

中国专利 :CN102683198B ,2012-09-19

[5]

干蚀刻方法及半导体装置的制造方法 [P].

大森启之 ;

古谷俊太 .

中国专利 :CN113614891A ,2021-11-05

[6]

湿蚀刻方法及半导体装置的制造方法 [P].

新崎庸平 ;

冈岛弘明 ;

荻野和基 .

中国专利 :CN108352315A ,2018-07-31

[7]

半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

西胁良典 ;

上村哲也 ;

稲叶正 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN104813451A ,2015-07-29

[8]

半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

室祐継 ;

上村哲也 ;

稻叶正 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN104781914A ,2015-07-15

[9]

制造及蚀刻半导体装置的方法 [P].

林子敬 ;

蔡雅怡 ;

赖俊良 ;

吴昀铮 ;

古淑瑗 .

中国专利 :CN118899221A ,2024-11-05

[10]

蚀刻方法、蚀刻掩模及利用其制造半导体装置的方法 [P].

堀江秀善 .

中国专利 :CN101484983A ,2009-07-15

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