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一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110152953.X
申请日
:
2021-02-04
公开(公告)号
:
CN112601368A
公开(公告)日
:
2021-04-02
发明(设计)人
:
曹建峰
申请人
:
申请人地址
:
234000 安徽省宿州市埇桥区师范路电厂小区C栋403
IPC主分类号
:
H05K300
IPC分类号
:
H05K346
H05K326
H05K118
代理机构
:
北京高航知识产权代理有限公司 11530
代理人
:
李浩
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-02
公开
公开
2021-04-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 3/00 申请日:20210204
共 50 条
[1]
一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构
[P].
曹建峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
曹建峰
曹建峰
曹建峰
.
中国专利
:CN112601368B
,2025-04-01
[2]
一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构
[P].
曹建峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
曹建峰
;
毛羽宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
毛羽宏
.
中国专利
:CN214046190U
,2021-08-24
[3]
一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构
[P].
曹建峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曹建峰
.
中国专利
:CN112601390A
,2021-04-02
[4]
一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构
[P].
曹建峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
曹建峰
曹建峰
曹建峰
.
中国专利
:CN112601390B
,2024-09-13
[5]
一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构
[P].
曹建峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
曹建峰
;
毛羽宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
毛羽宏
.
中国专利
:CN214046208U
,2021-08-24
[6]
一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法
[P].
赵晓辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵晓辉
;
王亦然
论文数:
0
引用数:
0
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0
王亦然
;
杨柯
论文数:
0
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0
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0
杨柯
;
蒋书文
论文数:
0
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0
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蒋书文
;
蒋洪川
论文数:
0
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0
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0
蒋洪川
;
熊杰
论文数:
0
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0
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0
熊杰
;
张万里
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张万里
.
中国专利
:CN104726862A
,2015-06-24
[7]
一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法
[P].
赵晓辉
论文数:
0
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0
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0
赵晓辉
;
李海涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
李海涛
;
蒋洪川
论文数:
0
引用数:
0
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0
蒋洪川
;
张万里
论文数:
0
引用数:
0
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0
张万里
.
中国专利
:CN105970168B
,2016-09-28
[8]
基于金属基底的压电薄膜传感器及加工工艺
[P].
王凤起
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
王凤起
;
廖成
论文数:
0
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0
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
廖成
;
冉小龙
论文数:
0
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0
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
冉小龙
;
叶勤燕
论文数:
0
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0
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
叶勤燕
;
何绪林
论文数:
0
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
何绪林
;
罗坤
论文数:
0
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
罗坤
;
郑兴平
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
郑兴平
.
中国专利
:CN119403429A
,2025-02-07
[9]
一种嵌入式薄膜传感器
[P].
曹建峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
曹建峰
曹建峰
曹建峰
.
中国专利
:CN112601354B
,2025-04-11
[10]
一种嵌入式薄膜传感器
[P].
曹建峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曹建峰
.
中国专利
:CN112601354A
,2021-04-02
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