能提高加工良率的IGBT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811603145.5

申请日：

2018-12-26

公开(公告)号：

CN109473475A

公开(公告)日：

2019-03-15

发明(设计)人：

许生根陈钱牛博姜梅

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2908 H01L29417

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-15	公开	公开
2019-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20181226

共 50 条

[1]

能提高加工良率的IGBT器件 [P].

许生根 ;

陈钱 ;

牛博 ;

姜梅 .

中国专利 :CN209056501U ,2019-07-02

[2]

提高半导体器件的良率的方法 [P].

崔燕雯 ;

严强生 ;

任媛媛 ;

陈宏 .

中国专利 :CN117979693A ,2024-05-03

[3]

具有集成栅源电容的IGBT器件 [P].

杨飞 ;

谭骥 ;

张广银 ;

沈千行 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN105789288B ,2016-07-20

[4]

能降低米勒电容的超结IGBT器件 [P].

张须坤 ;

张广银 ;

卢烁今 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN105355656A ,2016-02-24

[5]

具有集成栅源电容的RC IGBT器件 [P].

杨飞 ;

张广银 ;

谭骥 ;

沈千行 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN205621738U ,2016-10-05

[6]

IGBT器件的制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

姚毅 .

中国专利 :CN111785628A ,2020-10-16

[7]

IGBT器件的制造方法 [P].

栾宁 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119653799A ,2025-03-18

[8]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118231251A ,2024-06-21

[9]

IGBT器件的制造方法及IGBT器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 ;

杨毓龙 .

中国专利 :CN114628247A ,2022-06-14

[10]

具备多重调控的沟槽型IGBT器件 [P].

杨晓鸾 ;

许生根 ;

李哲锋 ;

李磊 ;

孔凡标 .

中国专利 :CN116190418B ,2025-07-22

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