提高半导体器件的良率的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410082863.1

申请日：

2024-01-19

公开(公告)号：

CN117979693A

公开(公告)日：

2024-05-03

发明(设计)人：

崔燕雯严强生任媛媛陈宏

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H10B41/00

IPC分类号：

H01L21/683 H01L21/67 H01L23/544

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

赵素香

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/00申请日:20240119
2024-05-03	公开	公开

共 50 条

[1]

改善半导体器件良率的方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN109768010B ,2019-05-17

[2]

改善半导体器件良率的方法 [P].

俞宏俊 ;

周飞 ;

徐莹 .

中国专利 :CN103346124A ,2013-10-09

[3]

用于提高半导体器件良率的转移机构 [P].

许卫岗 ;

蒋祖良 ;

吴志新 ;

毛韦娟 .

中国专利 :CN108630589B ,2018-10-09

[4]

高良率半导体器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

刘玉龙 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN208538836U ,2019-02-22

[5]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

卯尾崎宽 ;

武田康裕 ;

前川径一 ;

长谷川拓实 ;

舟山幸太 ;

丸山祥辉 ;

柴和利 ;

工藤修一 .

中国专利 :CN103824815A ,2014-05-28

[6]

预测半导体集成电路良率的装置和半导体器件的制造方法 [P].

金成烈 ;

高汀勋 ;

金成帝 ;

李济铉 ;

全倧旭 .

韩国专利 :CN109426698B ,2024-02-02

[7]

预测半导体集成电路良率的装置和半导体器件的制造方法 [P].

金成烈 ;

高汀勋 ;

金成帝 ;

李济铉 ;

全倧旭 .

中国专利 :CN109426698A ,2019-03-05

[8]

半导体器件的制作方法以及半导体器件 [P].

朱文琪 ;

颜元 ;

张豪 .

中国专利 :CN114050160A ,2022-02-15

[9]

能提高加工良率的IGBT器件 [P].

许生根 ;

陈钱 ;

牛博 ;

姜梅 .

中国专利 :CN109473475A ,2019-03-15

[10]

能提高加工良率的IGBT器件 [P].

许生根 ;

陈钱 ;

牛博 ;

姜梅 .

中国专利 :CN209056501U ,2019-07-02

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