用于提高半导体器件良率的转移机构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810255654.7

申请日：

2014-12-22

公开(公告)号：

CN108630589B

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

许卫岗蒋祖良吴志新毛韦娟

申请人：

申请人地址：

215153 江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号

IPC主分类号：

H01L21677

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡;王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-08	授权	授权
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/677 申请日:20141222
2018-10-09	公开	公开

共 50 条

[1]

高良率半导体器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

刘玉龙 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN208538836U ,2019-02-22

[2]

提高半导体器件的良率的方法 [P].

崔燕雯 ;

严强生 ;

任媛媛 ;

陈宏 .

中国专利 :CN117979693A ,2024-05-03

[3]

改善半导体器件良率的方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN109768010B ,2019-05-17

[4]

改善半导体器件良率的方法 [P].

俞宏俊 ;

周飞 ;

徐莹 .

中国专利 :CN103346124A ,2013-10-09

[5]

半导体器件和用于转移半导体器件的方法 [P].

塞巴斯蒂安·维特曼 ;

托比亚斯·贝特霍尔德 ;

托马斯·施瓦茨 ;

马库斯·博斯 .

德国专利 :CN118648108A ,2024-09-13

[6]

用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件 [P].

M·S·闻 ;

H·C·张 ;

T·刘 ;

H·Y·皮 ;

A·阿利亚斯 ;

L·T·陈 ;

Y·梁 ;

A·K·H·林 ;

W·Y·黄 .

中国专利 :CN112840469A ,2021-05-25

[7]

半导体器件的衬底转移方法及半导体器件 [P].

刘晓蕊 ;

韩培刚 ;

黄祥威 ;

王术 ;

何斌 ;

高新箐 ;

黄江涛 .

中国专利 :CN118645436A ,2024-09-13

[8]

预测半导体集成电路良率的装置和半导体器件的制造方法 [P].

金成烈 ;

高汀勋 ;

金成帝 ;

李济铉 ;

全倧旭 .

韩国专利 :CN109426698B ,2024-02-02

[9]

半导体器件及用于生产半导体器件的方法 [P].

古拉布·萨布依 ;

陈宇鹏 ;

U·夏尔马 .

中国专利 :CN111446237A ,2020-07-24

[10]

用于制作半导体器件的方法和半导体器件 [P].

木村雅俊 .

中国专利 :CN106486503A ,2017-03-08

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