多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN00220020.1

申请日：

2000-04-19

公开(公告)号：

CN2417636Y

公开(公告)日：

2001-01-31

发明(设计)人：

戴永胜陈堂胜

申请人：

申请人地址：

210016江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

H03K1756

IPC分类号：

代理机构：

东南大学专利事务所

代理人：

沈廉;姚建楠

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-01-31	授权	授权
2010-06-30	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101003438136 IPC(主分类):H03K 17/56 专利号:ZL002200201 申请日:20000419 授权公告日:20010131

共 19 条

[1]

多倍频程砷化镓微波单片数字、模拟移相器 [P].

戴永胜 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN2417635Y ,2001-01-31

[2]

多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器 [P].

戴永胜 ;

陈堂胜 ;

刘琳 .

中国专利 :CN2468247Y ,2001-12-26

[3]

砷化镓单片集成数控实时延迟线电路 [P].

方园 ;

吴洪江 ;

高学邦 ;

李富强 ;

谢媛媛 ;

刘志军 ;

王向玮 ;

魏洪涛 ;

赵伟 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN101527550B ,2009-09-09

[4]

直流到50千兆赫低相移多功能砷化镓微波单片电调衰减器 [P].

戴永胜 ;

陈堂胜 ;

陈效建 .

中国专利 :CN2434826Y ,2001-06-13

[5]

砷化镓单片微波功放的电应力极限评估方法 [P].

董宇亮 ;

付琬月 ;

姜宝钧 ;

徐军 ;

王茂琰 ;

毋俊玱 ;

何俊伟 .

中国专利 :CN102608449A ,2012-07-25

[6]

一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 [P].

汪宁 ;

陈中子 ;

陈晓娟 ;

刘新宇 ;

罗卫军 ;

庞磊 .

中国专利 :CN102623336A ,2012-08-01

[7]

一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法 [P].

莫郁薇 .

中国专利 :CN1851721A ,2006-10-25

[8]

一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路 [P].

姜世君 .

中国专利 :CN208608972U ,2019-03-15

[9]

一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

罗诗文 ;

周瑾 ;

危虎 ;

杜航海 ;

邢伟川 ;

张苇杭 ;

周弘 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789510A ,2025-04-08

[10]

单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 [P].

徐静波 ;

张海英 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101447484A ,2009-06-03