砷化镓单片微波功放的电应力极限评估方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210026740.3

申请日：

2012-02-08

公开(公告)号：

CN102608449A

公开(公告)日：

2012-07-25

发明(设计)人：

董宇亮付琬月姜宝钧徐军王茂琰毋俊玱何俊伟

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

G01R3100

IPC分类号：

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

谢敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	授权	授权
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101328711655 IPC(主分类):G01R 31/00 专利申请号:2012100267403 申请日:20120208
2012-07-25	公开	公开
2019-01-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/00 申请日:20120208 授权公告日:20140806 终止日期:20180208

共 50 条

[1]

一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法 [P].

莫郁薇 .

中国专利 :CN1851721A ,2006-10-25

[2]

超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器 [P].

戴永胜 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN2424577Y ,2001-03-21

[3]

多倍频程砷化镓微波单片数字、模拟移相器 [P].

戴永胜 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN2417635Y ,2001-01-31

[4]

多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关 [P].

戴永胜 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN2417636Y ,2001-01-31

[5]

砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法 [P].

羽木良明 ;

中井龙资 .

中国专利 :CN101451265A ,2009-06-10

[6]

氮化镓微波功放芯片共晶焊接方法及氮化镓微波功放器件 [P].

仲锐方 ;

任金虎 ;

陈伯涛 ;

李淑君 ;

郑峰 .

中国专利 :CN118417647A ,2024-08-02

[7]

多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器 [P].

戴永胜 ;

陈堂胜 ;

刘琳 .

中国专利 :CN2468247Y ,2001-12-26

[8]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN109801836A ,2019-05-24

[9]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN115101401A ,2022-09-23

[10]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN115087767B ,2024-02-20

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