半导体装置的制造方法及衬底处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010145606.6

申请日：

2004-08-25

公开(公告)号：

CN101807525B

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

尾崎贵志汤浅和宏前田喜世彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/316 登记生效日:20181205 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2012-05-23	授权	授权
2010-08-18	公开	公开
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006687503 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2010101456066 申请日:20040825

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

尾崎贵志 ;

汤浅和宏 ;

前田喜世彦 .

中国专利 :CN1762043A ,2006-04-19

[2]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

佐佐木隆史 ;

福田正直 ;

南政克 ;

女川靖浩 .

中国专利 :CN102024695A ,2011-04-20

[3]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

寿崎健一 ;

王杰 .

中国专利 :CN101429649A ,2009-05-13

[4]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

寿崎健一 ;

王杰 .

中国专利 :CN1823404A ,2006-08-23

[5]

衬底处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

境正宪 ;

加贺谷彻 ;

山崎裕久 .

中国专利 :CN100367459C ,2006-04-19

[6]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

原田和宏 ;

板谷秀治 .

中国专利 :CN102376640B ,2012-03-14

[7]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

福住高则 .

中国专利 :CN114798272A ,2022-07-29

[8]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

境正宪 ;

水野谦和 ;

佐佐木伸也 ;

山崎裕久 .

中国专利 :CN102543800A ,2012-07-04

[9]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 [P].

岛本聪 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

广濑义朗 .

中国专利 :CN103325676B ,2013-09-25

[10]

半导体器件的制造方法及衬底处理装置 [P].

尾崎贵志 ;

堀田英树 .

中国专利 :CN104109846A ,2014-10-22

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