半导体装置的制造方法及衬底处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480020397.5

申请日：

2004-09-17

公开(公告)号：

CN1823404A

公开(公告)日：

2006-08-23

发明(设计)人：

寿崎健一王杰

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

C23C1644

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

杨宏军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-29	授权	授权
2006-10-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-23	公开	公开
2018-12-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/31 登记生效日:20181205 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

寿崎健一 ;

王杰 .

中国专利 :CN101429649A ,2009-05-13

[2]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

寿崎健一 ;

王杰 .

中国专利 :CN101914760B ,2010-12-15

[3]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

尾崎贵志 ;

汤浅和宏 ;

前田喜世彦 .

中国专利 :CN101807525B ,2010-08-18

[4]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

尾崎贵志 ;

笠原修 ;

野田孝晓 ;

前田喜世彦 ;

森谷敦 ;

坂本农 .

中国专利 :CN101019210A ,2007-08-15

[5]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

原田和宏 ;

板谷秀治 .

中国专利 :CN102376640B ,2012-03-14

[6]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

福住高则 .

中国专利 :CN114798272A ,2022-07-29

[7]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

境正宪 ;

水野谦和 ;

佐佐木伸也 ;

山崎裕久 .

中国专利 :CN102543800A ,2012-07-04

[8]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 [P].

岛本聪 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

广濑义朗 .

中国专利 :CN103325676B ,2013-09-25

[9]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

猪山诚 ;

庄子史人 ;

正村将利 .

中国专利 :CN114164470A ,2022-03-11

[10]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

赤江尚德 ;

广濑义朗 ;

高泽裕真 ;

太田阳介 ;

笹岛亮太 .

中国专利 :CN102034702B ,2011-04-27

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