半导体发光二极管(简易封装型)

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN200530004194.4

申请日：

2005-02-07

公开(公告)号：

CN3553614D

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

柯永清

申请人：

申请人地址：

210043江苏省无锡市通惠东路436号科技园内309室

IPC主分类号：

2604

IPC分类号：

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法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-16	授权	授权
2011-04-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101063891942 主分类号:26-04 专利号:ZL2005300041944 申请日:20050207 授权公告日:20060816 终止日期:20100207

共 50 条

[1]

简易封装型半导体发光二极管 [P].

柯永清 .

中国专利 :CN2781574Y ,2006-05-17

[2]

半导体发光二极管 [P].

近藤且章 .

中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25

[3]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

[4]

半导体发光二极管 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06

[5]

半导体发光二极管 [P].

彭晖 ;

闫春辉 ;

柯志杰 .

中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18

[6]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[7]

半导体发光二极管 [P].

吴永胜 ;

张帆 .

中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28

[8]

半导体发光二极管 [P].

郑一权 .

中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23

[9]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

[10]

半导体发光二极管 [P].

小岛章弘 ;

下宿幸 ;

杉崎吉昭 ;

秋元阳介 ;

藤井孝佳 .

中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20

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