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半导体器件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110314445.7
申请日：
2021-03-24
公开(公告)号：
CN112802742A
公开(公告)日：
2021-05-14
发明(设计)人：
李娜
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21331
H01L29739
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
周耀君
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-06-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20210324 |
| 2021-05-14 | 公开 | 公开 |