半导体纳米结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610003180.4

申请日：

2006-02-22

公开(公告)号：

CN101026203A

公开(公告)日：

2007-08-29

发明(设计)人：

陈振

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3108 H01L3118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-29	公开	公开
2009-02-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

在解理面上制作半导体纳米结构的方法 [P].

陈涌海 ;

张春玲 ;

崔草香 ;

徐波 ;

金鹏 ;

刘峰奇 ;

王占国 .

中国专利 :CN1725436A ,2006-01-25

[2]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102790006A ,2012-11-21

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

李德斌 .

中国专利 :CN117637839A ,2024-03-01

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN117672822A ,2024-03-08

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈维邦 ;

郑志成 .

中国专利 :CN114420639A ,2022-04-29

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈明发 ;

叶松峯 ;

刘醇鸿 ;

史朝文 .

中国专利 :CN112133691A ,2020-12-25

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

郭英雄 ;

李文章 ;

郭博庚 .

中国专利 :CN118263214A ,2024-06-28

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

郭英雄 ;

李文章 ;

郭博庚 .

中国专利 :CN118263214B ,2025-10-21

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102593037B ,2012-07-18

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