一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310103424.2

申请日：

2003-10-31

公开(公告)号：

CN1328795C

公开(公告)日：

2004-10-27

发明(设计)人：

张盛东陈文新张志宽黄如韩汝琦

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2712 H01L21336 H01L2184

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

俞达成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-10-27	公开	公开
2005-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-07-25	授权	授权
2011-03-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101074282774 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2003101034242 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:北京大学变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更后权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司登记生效日:20110128

共 50 条

[1]

超薄体晶体管及其制作方法 [P].

梁擎擎 ;

钟汇才 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102376769A ,2012-03-14

[2]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569087B ,2012-07-11

[3]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066010A ,2013-04-24

[4]

一种部分耗尽SOI结构的MOS晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

李定宇 ;

韩汝琦 ;

王新安 ;

张天义 .

中国专利 :CN100414714C ,2007-01-03

[5]

晶体管及其制作方法 [P].

吴志浩 .

中国专利 :CN117373920A ,2024-01-09

[6]

晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102479709A ,2012-05-30

[7]

晶体管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102569394B ,2012-07-11

[8]

晶体管及其制作方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102543744B ,2012-07-04

[9]

一种体硅MOS晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

张志宽 ;

陈文新 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN1595660A ,2005-03-16

[10]

薄膜晶体管及其制作方法 [P].

齐之刚 .

中国专利 :CN105810744B ,2016-07-27

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